Infineon Technologies

Транзистор IHW30N160R5 

Предимства:

• Монолитно интегриран диод (RC-IGBT): Вграденият обратен диод спестява място на платката и подобрява топлинния баланс.

• 1600V Пробивно напрежение: Изключително висок маржин на сигурност срещу високоволтови пикове в мрежата и резонансни пренапрежения.

• Ниско напрежение на насищане V_CEsat: Само1.35V (типично), което драстично намалява топлинните загуби по време на работа.

• Топлинна устойчивост: Максимална температура на кристала до 175 C, гарантираща стабилност при продължителни и тежки натоварвания.

• Оптимизиран за резонансни приложения: Проектиран за честоти от 20 kHz до 60 kHz с ниски нива на EMI смущения.

Транзистор IRF840

Основни предимства :

• Високо работно напрежение: Възможност за управление на товари до 500V.

• Бързо превключване (High Speed Switching): Намалява динамичните загуби при работа във високочестотни вериги.

• Лесно управление: Стандартни нива на задействане на гейта, съвместими с повечето драйверни интегрални схеми.

• Висока повтаряемост и надеждност: Доказан с годините компонент с отлична термична стабилност

Транзистор IRFB17N50L

Основни предимства :

• High Speed Power Switching: Оптимизиран за работа при високи честоти с минимални динамични загуби.

• Ниско вътрешно съпротивление: Намалява статичните загуби на мощност и отделянето на топлина.

• Подобрена устойчивост на dV/dt: Висока надеждност срещу пренапрежения и паразитни осцилации.

• Издръжливост на лавинен пробив (Avalanche Ruggedness): 100% тестван за работа при тежки индуктивни товари (Hard Switched Circuits).

Транзистор    IGW75N60T

Транзистор IKW40N120T

Транзистор SPW47N65C3

Features
• Worldwide best R ds,on in TO247
• Low gate charge
• Extreme dv/dt rated
• High peak current capability
• Qualified according to JEDEC 1) for target applications
• Pb-free lead plating; RoHS compliant

Транзистор    IGW50N60TP

Транзистор    IGW25N120H3

Транзистор SPP20N65C3

Транзистор IRFB4227

Транзистор IPA60R099C6

Транзистор: PNP; биполярен; 120V; 3A; 3W; SOT223

* PNP Silicon AF Power Transistor
* For AF driver and output stages
* High collector current
* High current gain
* Low collector-emitter saturation voltage
* Complementary types: BDP955 (NPN)

Транзистор: NPN; биполярен; 120V; 3A; 3W; SOT223

Silicon AF Power Transistor
* For AF driver and output stages
* High collector current
* High current gain
* Low collector-emitter saturation voltage
*Complementary types: BDP956 (PNP)

Транзистор IKW50N65F5

Транзистор    IGW50N65F5

Интегр.схема SMART ключ