IGBT транзистори

Транзистор IHW30N160R5 

Предимства:

• Монолитно интегриран диод (RC-IGBT): Вграденият обратен диод спестява място на платката и подобрява топлинния баланс.

• 1600V Пробивно напрежение: Изключително висок маржин на сигурност срещу високоволтови пикове в мрежата и резонансни пренапрежения.

• Ниско напрежение на насищане V_CEsat: Само1.35V (типично), което драстично намалява топлинните загуби по време на работа.

• Топлинна устойчивост: Максимална температура на кристала до 175 C, гарантираща стабилност при продължителни и тежки натоварвания.

• Оптимизиран за резонансни приложения: Проектиран за честоти от 20 kHz до 60 kHz с ниски нива на EMI смущения.

Транзистор    IGW75N60T

Транзистор IKW40N120T

Транзистор    STGW60V60DF

Транзистор    IGW50N60TP

Транзистор    IGW25N120H3

Транзистор IKW50N65F5

Транзистор    IGW50N65F5